casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56W/DG/B2,115
codice articolo del costruttore | BAW56W/DG/B2,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56W/DG/B2,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAW56W/DG/B2,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56W/DG/B2,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56W/DG/B2,115-FT |
MUR10010CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10040CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20020CT
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel