casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56W/DG/B2,115
codice articolo del costruttore | BAW56W/DG/B2,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56W/DG/B2,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAW56W/DG/B2,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56W/DG/B2,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56W/DG/B2,115-FT |
MUR10010CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10040CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20020CT
GeneSiC Semiconductor
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel