casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR10040CT
codice articolo del costruttore | MUR10040CT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MUR10040CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR10040CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 90ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR10040CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR10040CT-FT |
DD350N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD350N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD350N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD350N18KHPSA1
Infineon Technologies
DD380N16AHPSA1
Infineon Technologies
DD380N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD540N22KHPSA2
Infineon Technologies
DD540N26KHPSA1
Infineon Technologies
DD600N12KHPSA2
Infineon Technologies
DD600N14KHPSA2
Infineon Technologies
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel