casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56S/DG/B2,115
codice articolo del costruttore | BAW56S/DG/B2,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56S/DG/B2,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAW56S/DG/B2,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56S/DG/B2,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56S/DG/B2,115-FT |
MUR10005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10010CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10040CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20005CT
GeneSiC Semiconductor
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel