casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70UE6359HTMA1
codice articolo del costruttore | BAV70UE6359HTMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAV70UE6359HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV70UE6359HTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150nA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC74-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70UE6359HTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70UE6359HTMA1-FT |
MBR20060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel