casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70UE6359HTMA1
codice articolo del costruttore | BAV70UE6359HTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70UE6359HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV70UE6359HTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150nA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC74-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70UE6359HTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70UE6359HTMA1-FT |
MBR20060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel