casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR300100CT
codice articolo del costruttore | MBR300100CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR300100CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR300100CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 150A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 8mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR300100CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR300100CT-FT |
DD171N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD171N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD171N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD171N18KHPSA1
Infineon Technologies
DD231N22KHPSA1
Infineon Technologies
DD231N26KHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD260N14KHPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel