casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70M3T5G
codice articolo del costruttore | BAV70M3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70M3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70M3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70M3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70M3T5G-FT |
NTSB30U100CTT4G
ON Semiconductor
MURB1620CTG
ON Semiconductor
MBRB1545CTG
ON Semiconductor
MBRB2060CTG
ON Semiconductor
NTSB20120CTT4G
ON Semiconductor
MURHB840CTG
ON Semiconductor
MBRB2535CTLG
ON Semiconductor
NTSB20100CTG
ON Semiconductor
SBRB2545CTG
ON Semiconductor
NTSB30120CTG
ON Semiconductor
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel