casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70M3T5G
codice articolo del costruttore | BAV70M3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70M3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70M3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70M3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70M3T5G-FT |
NTSB30U100CTT4G
ON Semiconductor
MURB1620CTG
ON Semiconductor
MBRB1545CTG
ON Semiconductor
MBRB2060CTG
ON Semiconductor
NTSB20120CTT4G
ON Semiconductor
MURHB840CTG
ON Semiconductor
MBRB2535CTLG
ON Semiconductor
NTSB20100CTG
ON Semiconductor
SBRB2545CTG
ON Semiconductor
NTSB30120CTG
ON Semiconductor
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel