casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70LT3G
codice articolo del costruttore | BAV70LT3G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70LT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70LT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70LT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70LT3G-FT |
MBR2545CTG
ON Semiconductor
NRTSV30H120CTG
ON Semiconductor
MUR620CTG
ON Semiconductor
NTST40120CTG
ON Semiconductor
MBR30H100CTG
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MUR1640CTG
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MBR2060CTG
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BYW51-200G
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NTSV20100CTG
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BYV32-200G
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XC7A75T-1FTG256C
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XC2S50E-6FTG256I
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XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
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A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel