casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYV32-200G
codice articolo del costruttore | BYV32-200G |
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Numero di parte futuro | FT-BYV32-200G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
BYV32-200G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32-200G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV32-200G-FT |
MBR6045PT
Diodes Incorporated
MBR6045PT-F
Diodes Incorporated
MBRA3045NTU
ON Semiconductor
RHRA1560CC
ON Semiconductor
SBL1630PT
Diodes Incorporated
SBL1635PT
Diodes Incorporated
SBL1640PT
Diodes Incorporated
SBL1645PT
Diodes Incorporated
SBL1650PT
Diodes Incorporated
SBL1660PT
Diodes Incorporated
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel