casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70_L99Z
codice articolo del costruttore | BAV70_L99Z |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70_L99Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70_L99Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70_L99Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70_L99Z-FT |
MBR20080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel