casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MPG06MHE3_A/53
codice articolo del costruttore | MPG06MHE3_A/53 |
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Numero di parte futuro | FT-MPG06MHE3_A/53 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MPG06MHE3_A/53 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 600ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPG06MHE3_A/53 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MPG06MHE3_A/53-FT |
BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV13-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV14-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV14-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV15-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV15-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel