casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV23-7
codice articolo del costruttore | BAV23-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV23-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV23-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 400mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV23-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV23-7-FT |
MBR1560CT
ON Semiconductor
MBR2560CT
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MBRP1545NTU
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FYP1010DNTU
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MBR2035CT
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MBRP3045NTU
ON Semiconductor
FEP16AT
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FEP16ATA
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FEP16ATD
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XC4052XL-1HQ304C
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XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
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XC5VLX50T-2FFG1136C
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LFE2M50E-6F484I
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LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation