casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2560CT
codice articolo del costruttore | MBR2560CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2560CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2560CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 12.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 12.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2560CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2560CT-FT |
IDP20C65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDP30C65D2XKSA1
Infineon Technologies
SDP20S30
Infineon Technologies
BAV99SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SH6827XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAS16SH6727XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SE6327HTSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
EX64-FTQ100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-2FGG676C
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2LN
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I1HG
Intel