casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV199E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BAV199E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV199E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV199E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV199E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV199E6327HTSA1-FT |
MBR1035CT
Diodes Incorporated
MBR1040CT
Diodes Incorporated
MBR1050CT
Diodes Incorporated
MBR1060CT-I
Diodes Incorporated
MBR1070CT
Diodes Incorporated
MBR1540CT
Diodes Incorporated
MBR20100CT-LJ
Diodes Incorporated
MBR2030CT
Diodes Incorporated
MBR2060CT-E1
Diodes Incorporated
SBL1030CT
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel