casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR1050CT
codice articolo del costruttore | MBR1050CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR1050CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR1050CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1050CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR1050CT-FT |
DST20150C
Littelfuse Inc.
DST2060C
Littelfuse Inc.
DST2080C
Littelfuse Inc.
DST3060LC
Littelfuse Inc.
DST3080C
Littelfuse Inc.
DST40100C
Littelfuse Inc.
MBR10100CT-G1
Diodes Incorporated
MBR20150SCT-G1
Diodes Incorporated
MBR2045CT-LJ-01
Diodes Incorporated
MBR2060CT-LJ
Diodes Incorporated
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel