casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV199-7-F
codice articolo del costruttore | BAV199-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BAV199-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV199-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 140mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV199-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV199-7-F-FT |
BAS28-7
Diodes Incorporated
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.
BAV23,215
Nexperia USA Inc.
BAS4007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS7007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS28,215
Nexperia USA Inc.
BAS28,235
Nexperia USA Inc.
BAS56,235
Nexperia USA Inc.
BAS28E6327HTSA1
Infineon Technologies
DB4X501K0R
Panasonic Electronic Components
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel