casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS28-7
codice articolo del costruttore | BAS28-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS28-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS28-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS28-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS28-7-FT |
MBRP1545NTU
ON Semiconductor
FYP1010DNTU
ON Semiconductor
FYP2010DNTU
ON Semiconductor
MBR2035CT
ON Semiconductor
MBRP3045NTU
ON Semiconductor
FEP16AT
ON Semiconductor
FEP16ATA
ON Semiconductor
FEP16ATD
ON Semiconductor
FEP16BT
ON Semiconductor
FEP16BTA
ON Semiconductor
XC6SLX9-2TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ208B
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGXEA5N1F45C1N
Intel
XC7VX415T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2LG
Intel
10AX057K1F35E1SG
Intel