codice articolo del costruttore | BAV170 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAV170 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV170 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 125mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV170 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV170-FT |
BAS16V-7
Diodes Incorporated
MMBD4448V-7
Diodes Incorporated
BAT40VC-7
Diodes Incorporated
BAT54AT-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HTS-7-F
Diodes Incorporated
BAS40-05T-7-F
Diodes Incorporated
BAW156TQ-7-F
Diodes Incorporated
BAS40-04T-7-F
Diodes Incorporated
SDMP0340LST-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HTC-7-F
Diodes Incorporated
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation