casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MMBD4448HTC-7-F
codice articolo del costruttore | MMBD4448HTC-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD4448HTC-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD4448HTC-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HTC-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD4448HTC-7-F-FT |
FFAF10U120DNTU
ON Semiconductor
FFAF10U40DNTU
ON Semiconductor
FFAF15U120DNTU
ON Semiconductor
FFAF15U20DNTU
ON Semiconductor
FFAF20U120DNTU
ON Semiconductor
FFAF20U20DNTU
ON Semiconductor
FFAF20U60DNTU
ON Semiconductor
FFAF30U60DNTU
ON Semiconductor
FFAF40U60DNTU
ON Semiconductor
FFAF60U60DNTU
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel