casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV170E6359HTMA1
codice articolo del costruttore | BAV170E6359HTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV170E6359HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV170E6359HTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV170E6359HTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV170E6359HTMA1-FT |
1SS184,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS21A-TP
Micro Commercial Co
BAS40-06-TP
Micro Commercial Co
BAV70
ON Semiconductor
DB3X313J0L
Panasonic Electronic Components
MMBD1405
ON Semiconductor
MMBD1505A
ON Semiconductor
1SS379,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS396,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS21S-TP
Micro Commercial Co
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel