casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV16S92-7
codice articolo del costruttore | BAV16S92-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV16S92-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV16S92-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-923 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-923 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV16S92-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV16S92-7-FT |
BAS116LPH4-7B
Diodes Incorporated
SBRT05U20LPS-7B
Diodes Incorporated
SBR07U20LPS-7
Diodes Incorporated
SDM1100LP-7
Diodes Incorporated
SBRT4U45LP-7
Diodes Incorporated
BAS20-7-F
Diodes Incorporated
D4G-T
Diodes Incorporated
D1G-T
Diodes Incorporated
D2G-T
Diodes Incorporated
D3G-T
Diodes Incorporated
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel