casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAT1706WE6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BAT1706WE6327HTSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAT1706WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT1706WE6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Pair Common Anode |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Corrente - max | 130mA |
Capacità @ Vr, F | 0.75pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 15 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT1706WE6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT1706WE6327HTSA1-FT |
HSMS-2800-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2802-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2802-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2802-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2803-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2803-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2803-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2804-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2804-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2804-TR2G
Broadcom Limited
M7A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N1F40C1N
Intel
5SGXEA5H2F35I2L
Intel
XC7K410T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel
EP2S130F1020I4N
Intel