casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-2803-TR1G
codice articolo del costruttore | HSMS-2803-TR1G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-2803-TR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2803-TR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Pair Common Anode |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 70V |
Corrente - max | 1A |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2803-TR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-2803-TR1G-FT |
HSMP-3810-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3810-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-3810-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-3812-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3812-TR1
Broadcom Limited
HSMP-3812-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-3812-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-3813-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3813-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-3813-TR2G
Broadcom Limited
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel