casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAT15099E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BAT15099E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT15099E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT15099E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Corrente - max | 110mA |
Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT15099E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT15099E6327HTSA1-FT |
MA4P1250NM-1072T
M/A-Com Technology Solutions
MEST2G-025-10-CM32
M/A-Com Technology Solutions
MEST2G-150-10-CM32
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011037-13900T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1338E1-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E2072M-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E2200E1-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P4002F-1091T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P7441F-1091T
M/A-Com Technology Solutions
BAR 88-07LRH E6327
Infineon Technologies
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel