casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 5818SMGE3/TR13
codice articolo del costruttore | 5818SMGE3/TR13 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-5818SMGE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
5818SMGE3/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AA, SMB Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5818SMGE3/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 5818SMGE3/TR13-FT |
1N6548
Microsemi Corporation
1N6549
Microsemi Corporation
1N6620US
Microsemi Corporation
1N6621US/TR
Microsemi Corporation
1N6623US
Microsemi Corporation
1N6624
Microsemi Corporation
1N6624US
Microsemi Corporation
1N6628US/TR
Microsemi Corporation
1N6629US
Microsemi Corporation
1N6630US
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel