casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-E5PX6012L-N3
codice articolo del costruttore | VS-E5PX6012L-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-E5PX6012L-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-E5PX6012L-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.15V @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 120ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-E5PX6012L-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-E5PX6012L-N3-FT |
VSKY02400603-G4-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C18S20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C22S20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C22S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C24S20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C25S20L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C28S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1053C30S30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C04L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C08L
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel