casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS21HMFHT116
codice articolo del costruttore | BAS21HMFHT116 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS21HMFHT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS21HMFHT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSD3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21HMFHT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS21HMFHT116-FT |
RB511VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB511VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB520VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB521VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB530VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB530VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB530VM-40TE-17
Rohm Semiconductor
RB531VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB540VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB541VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
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AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
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EP1S40F780I6
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