casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-SD823C12S20C
codice articolo del costruttore | VS-SD823C12S20C |
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Numero di parte futuro | FT-VS-SD823C12S20C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-SD823C12S20C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 810A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 1500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AA, A-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | B-43, Hockey PUK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-SD823C12S20C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-SD823C12S20C-FT |
VS-HFA25TB60STRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60STRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1035TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1035TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1045TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1045TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1635TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1635TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel