casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / NTSV30100CTG
codice articolo del costruttore | NTSV30100CTG |
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Numero di parte futuro | FT-NTSV30100CTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTSV30100CTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTSV30100CTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTSV30100CTG-FT |
MA4ZD0300L
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MA4ZD1400L
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MA4X159AGL
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SBE807-TL-W
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SBE805-TL-W
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SBE807-S-TL-W
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SBT700-06RH-1E
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A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
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5SGXMA3E3H29I3LN
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EP4CGX30BF14C8
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10M02DCV36I7G
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