casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS116V-7
codice articolo del costruttore | BAS116V-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS116V-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS116V-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116V-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS116V-7-FT |
FYP2004DNTU
ON Semiconductor
FYP2045DNTU
ON Semiconductor
ISL9K460P3
ON Semiconductor
ISL9K8120P3
ON Semiconductor
ISL9K860P3
ON Semiconductor
MBR1550CT
ON Semiconductor
MBR20S100CTTU
ON Semiconductor
MBRP2045NTU
ON Semiconductor
FYA3010DNTU
ON Semiconductor
FFB20UP30DNTM
ON Semiconductor
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel