casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / ISL9K8120P3
codice articolo del costruttore | ISL9K8120P3 |
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Numero di parte futuro | FT-ISL9K8120P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
ISL9K8120P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 44ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9K8120P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9K8120P3-FT |
MBR3035PT
ON Semiconductor
MBR3040CTP
Diodes Incorporated
MBR3045PT
ON Semiconductor
MBR3045PTG
ON Semiconductor
MBR4035PT
ON Semiconductor
MBR4045PT
ON Semiconductor
MBR4045PTG
ON Semiconductor
RURG3060CC-F085
ON Semiconductor
FFPF20UP60DNTU
ON Semiconductor
FYPF2010DNTU
ON Semiconductor
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel