casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS116HMFHT116
codice articolo del costruttore | BAS116HMFHT116 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS116HMFHT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS116HMFHT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSD3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116HMFHT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS116HMFHT116-FT |
RB510VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB511VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB511VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB520VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB521VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB530VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB530VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB530VM-40TE-17
Rohm Semiconductor
RB531VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
RB540VM-40FHTE-17
Rohm Semiconductor
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel