casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16J,135
codice articolo del costruttore | BAS16J,135 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16J,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS16J,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323F |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16J,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16J,135-FT |
UGF5JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel