casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAR 64-07 E6327
codice articolo del costruttore | BAR 64-07 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BAR 64-07 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR 64-07 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - 2 Independent |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 150V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 64-07 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAR 64-07 E6327-FT |
MA4E2072M-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E2200E1-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P4002F-1091T
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MA4P7441F-1091T
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BAR 88-07LRH E6327
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BAR 88-098LRH E6327
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BAR 90-098L4 E6327
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BAR 90-099LRH E6327
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A1425A-1PQG100I
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XCV800-5FG676C
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A3P250L-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
5SGXEB6R1F40I2N
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35E2SG
Intel
XA7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C6G
Intel