casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAQ35-GS18
codice articolo del costruttore | BAQ35-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAQ35-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAQ35-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAQ35-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAQ35-GS18-FT |
40EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel