casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 60EPF12
codice articolo del costruttore | 60EPF12 |
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Numero di parte futuro | FT-60EPF12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
60EPF12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 480ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC Modified |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
60EPF12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 60EPF12-FT |
VS-15ETX06-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel