casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Array / AZ23C12-HE3-18
codice articolo del costruttore | AZ23C12-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-AZ23C12-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C12-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione | 1 Pair Common Anode |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 9V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C12-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AZ23C12-HE3-18-FT |
AZ23B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
ICE40UP5K-UWG30ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC5VLX110-1FF1760I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EQC240-2N
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel