casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Array / AZ23B3V9-E3-18
codice articolo del costruttore | AZ23B3V9-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-AZ23B3V9-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AZ23B3V9-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione | 1 Pair Common Anode |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B3V9-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AZ23B3V9-E3-18-FT |
AZ23B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P1000-FG484M
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2X
Intel
EP2C20F256I8
Intel
5SGSMD3E3H29I3LN
Intel
LCMXO3L-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation