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Infineon Technologies AUIRFR4292

Numero parte MFG
AUIRFR4292
quantità disponibile
69010 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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AUIRFR4292 specificazioni

codice articolo del costruttore AUIRFR4292
Numero di parte futuro FT-AUIRFR4292
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRFR4292 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 345 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFR4292 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AUIRFR4292-FT

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