casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFP2907Z
codice articolo del costruttore | AUIRFP2907Z |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFP2907Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFP2907Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFP2907Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFP2907Z-FT |
IPD100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD090N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S410ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N08S413ATMA1
Infineon Technologies
IPD50P04P413ATMA1
Infineon Technologies
IPD5N25S3430ATMA1
Infineon Technologies
IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel