casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF3205STRLPBF
codice articolo del costruttore | IRF3205STRLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF3205STRLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3205STRLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3247pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3205STRLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF3205STRLPBF-FT |
IPB065N03LGATMA1
Infineon Technologies
IRF9Z34NSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF830STRLPBF
Vishay Siliconix
IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
IRFS3107TRLPBF
Infineon Technologies
IPB108N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IRF3710STRLPBF
Infineon Technologies
IPB80N04S403ATMA1
Infineon Technologies
IRF540NSTRLPBF
Infineon Technologies
SQM120N06-3M5L_GE3
Vishay Siliconix
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation