casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF2804STRL7P
codice articolo del costruttore | AUIRF2804STRL7P |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF2804STRL7P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF2804STRL7P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 240A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 160A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6930pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF2804STRL7P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF2804STRL7P-FT |
PMN23UN,165
NXP USA Inc.
PMN25EN,115
NXP USA Inc.
PMN25ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN25UN,115
NXP USA Inc.
PMN27UN,135
NXP USA Inc.
PMN27UP,115
Nexperia USA Inc.
PMN27UPH
Nexperia USA Inc.
PMN27XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN27XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMN28UN,135
Nexperia USA Inc.
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel