casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STU2N105K5
codice articolo del costruttore | STU2N105K5 |
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Numero di parte futuro | FT-STU2N105K5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ K5 |
STU2N105K5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1050V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 750mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU2N105K5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STU2N105K5-FT |
STB13N80K5
STMicroelectronics
STB14N80K5
STMicroelectronics
STB15N65M5
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STB15N80K5
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STB17N80K5
STMicroelectronics
STB18N60DM2
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STB18N65M5
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STB18NM80
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STB20N60M2-EP
STMicroelectronics
STB20N65M5
STMicroelectronics
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel