casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / AT-42010
codice articolo del costruttore | AT-42010 |
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Numero di parte futuro | FT-AT-42010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT-42010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 8GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
Guadagno | 10dB ~ 13.5dB |
Potenza - Max | 600mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 35mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD (100 mil) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT-42010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AT-42010-FT |
23A008
Microsemi Corporation
2731-200P
Microsemi Corporation
2A5
Microsemi Corporation
2N2857UB
Microsemi Corporation
2N4957
Microsemi Corporation
2N5031
Microsemi Corporation
2SC3356-T1B-R24-A
CEL
2SC3356-T1B-R25-A
CEL
2SC3357-T1-RF-A
CEL
2SC4227-T1-R34-A
CEL
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
EP4SGX290NF45C2N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
10AX057K3F35I2LG
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel