codice articolo del costruttore | 2N4957 |
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Numero di parte futuro | FT-2N4957 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N4957 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Frequenza - Transizione | - |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Guadagno | 25dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-72-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4957 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N4957-FT |
AT-42085G
Broadcom Limited
AT-42070
Broadcom Limited
AT-42035G
Broadcom Limited
AT-42000-GP4
Broadcom Limited
AT-41486-BLKG
Broadcom Limited
AT-41435G
Broadcom Limited
AT-32011-TR1
Broadcom Limited
AT-41511-TR1
Broadcom Limited
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel