casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / AT-32011-TR1G
codice articolo del costruttore | AT-32011-TR1G |
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Numero di parte futuro | FT-AT-32011-TR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT-32011-TR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.5V |
Frequenza - Transizione | - |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz |
Guadagno | 12.5dB ~ 14dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 2.7V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 32mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT-32011-TR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AT-32011-TR1G-FT |
NE85619-T1
CEL
NE85619-T1-A
CEL
MAX2601ESA+
Maxim Integrated
MAX2602ESA+
Maxim Integrated
MAX2601ESA+T
Maxim Integrated
MAX2602ESA+T
Maxim Integrated
MAX2601ESA-T
Maxim Integrated
MAX2602ESA-T
Maxim Integrated
BFR740L3RHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR193L3E6327XTMA1
Infineon Technologies
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
M7AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C7N
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
XC2VP30-6FF896I
Xilinx Inc.
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290FF35C3N
Intel