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Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-6BIN
- Numero parte MFG
- AS4C8M32S-6BIN
- quantità disponibile
- 66380 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Alliance Memory, Inc.
- Breve descrizione
- - IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Memoria
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- AS4C8M32S-6BIN.pdf
AS4C8M32S-6BIN specificazioni
| codice articolo del costruttore | AS4C8M32S-6BIN |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-AS4C8M32S-6BIN |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| AS4C8M32S-6BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM |
| Dimensione della memoria | 256Mb (8M x 32) |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 2ns |
| Tempo di accesso | 5ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 90-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-TFBGA (8x13) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AS4C8M32S-6BIN Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | AS4C8M32S-6BIN-FT |
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