casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C8M32S-6BIN
codice articolo del costruttore | AS4C8M32S-6BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C8M32S-6BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C8M32S-6BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Dimensione della memoria | 256Mb (8M x 32) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 2ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 90-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 90-TFBGA (8x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M32S-6BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C8M32S-6BIN-FT |
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 IT:J
Micron Technology Inc.
MT41K1G8RKB-107:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K TR
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel