casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C128M16D2-25BCNTR
codice articolo del costruttore | AS4C128M16D2-25BCNTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C128M16D2-25BCNTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M16D2-25BCNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 84-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 84-FBGA (10.5x13.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D2-25BCNTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C128M16D2-25BCNTR-FT |
MT41K256M8DA-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:M
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-15E:M
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation