casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C2016-55ZIN
codice articolo del costruttore | AS6C2016-55ZIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C2016-55ZIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C2016-55ZIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2016-55ZIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C2016-55ZIN-FT |
AS4C64M16D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16D3LB-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16D3B-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3L-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3B-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LB-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LB-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel