casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C512M8D3-12BCN
codice articolo del costruttore | AS4C512M8D3-12BCN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C512M8D3-12BCN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C512M8D3-12BCN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3-12BCN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C512M8D3-12BCN-FT |
AS4C8M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCN
Alliance Memory, Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel