casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C8M16MSA-6BIN
codice articolo del costruttore | AS4C8M16MSA-6BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C8M16MSA-6BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C8M16MSA-6BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile |
Dimensione della memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-FBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M16MSA-6BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C8M16MSA-6BIN-FT |
AS7C316096C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel